INNLEDNING Termisk ledningsevne for aluminiumnitrid

Aluminiumnitrid (ALN) har egenskapene til høy styrke, høye volumresistivitet, høy isolasjon motstandsspenning, termisk ekspansjonskoeffisient og god matching med silisium, etc., ikke bare som en sintringshjelp eller reinf -fase for teknisk keramikk, spesielt I feltet keramisk underlag, keramiske ark og emballasjematerialer som har vært i brann de siste årene, og ytelsen overstiger langt den for aluminiumoksyd.

Blant de viktige egenskapene til aluminiumnitrid er det viktigste HIG -termisk ledningsevne. Når det gjelder den termiske konduktivitetsmekanismen for aluminiumnitrid, har det blitt gjort mye forskning hjemme og i utlandet, og et relativt fullstendig teoretisk system er blitt dannet. Hovedmekanismen er: vibrasjon gjennom gitter, det vil si overføring av varme ved hjelp av gitterbølger eller varmebølger. Resultatene fra kvantemekanikk forteller oss at gitterbølger kan behandles som bevegelse av en partikkel, en fonon. Varmebølger har også bølgepartikkel dualitet. Varmebærende fononer overfører varme gjennom gjensidig restriktive og koordinerte vibrasjoner mellom strukturelle radikaler (atomer, ioner eller molekyler). Hvis krystallen er en inelastomer med en perfekt ideell struktur, kan varmen fritt overføres til det kalde krysset av den varme enden av krystallen uten interferens og spredning, og den termiske ledningsevnen kan nå en veldig høy verdi. Den termiske konduktiviteten styres hovedsakelig av krystallfeil og fononspredning av selve fononene.

Teoretisk sett kan den termiske konduktiviteten til ALN nå 320W · M-1 · K-1, men på grunn av urenheter og defekter i ALN er den termiske ledningsevnen til keramisk underlag i aluminiumnitrid mindre enn 200W · M-1 · K-1. Dette skyldes hovedsakelig at de strukturelle primitivene i krystallen ikke kan ha en helt streng ensartet fordeling, og det er alltid sparsomme og tette forskjellige regioner, så de nåværende bærende fononene vil alltid bli forstyrret og spredt under utbredelse.